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Remarques sur FREE MOS circuits intégrés et la technologie (circuit intégré) pour faciliter l'apprentissage et l'apprentissage rapide. Cette application est en fait un manuel gratuit, qui couvre tous les sujets du sujet. Vous pouvez considérer cette application comme des notes qui guides professeurs avec dans une salle de classe.
Vous pouvez très facilement passer et réussir dans vos examens et interviews si vous avez cette application sur votre téléphone mobile, et de donner un aperçu de quelques jours.
Il couvre 114 sujets de MOS circuits intégrés et la technologie en détail. Ces 114 sujets sont répartis en 8 unités
Certains des sujets abordés dans cette application sont:
1. La loi de Moore.
2. Comparaison des technologies disponibles
3. MOS de base Transistors
4. Mode d'amélioration de l'action de transistor:
5. NMOS Fabrication:
6. CMOS fabrication- PROCESSUS puits P
7. PROCESSUS CMOS fabrication-N-BIEN:
8. CMOS fabrication-Twin baignoire processus
9. La technologie Bi-CMOS: - (bipolaire CMOS):
10. Production de masques par faisceau d'électrons
11. Introduction à transistor MOS
12. Relation entre VGS et Ids, pour un Vds fixe
13. équations MOS (équations de base DC):
14. Deuxième ordre des effets
15. CMOS CARACTERISTIQUES DE Inveter
16. Caractéristiques Inverseur DC
17. Dérivation graphique des caractéristiques DC Inverter
18. Marge de bruit
19. inverseurs MOS de charge statique
20. portes de transmission
21. Tristate onduleur
22. bâton diagrammes codages pour le processus NMOS
23. codages pour les processus CMOS
24. Codage pour BJT et MOSFET
25. le style NMOS et CMOS design
26. Règles de conception - MOS circuits intégrés et la technologie
27. Via
28. règles de conception CMOS à base de lambda
29. Orbit 2um de processus CMOS
30. estimation de résistance.
31. La résistance de couche de transistors MOS
32. estimation de capacitance
33. Retard
34. retards de l'onduleur
35. estimation formelle du retard
36. Conduite à grande charge capacitive
37. La valeur optimale de f
38. super tampon
39. pilotes BiCMOS
40. retard de propagation
41. D'autres sources de capacité
42. Choix des couches
43. Mise à l'échelle des dispositifs mos
44. conception physique de base Voici un aperçu
45. conception physique de base Voici un aperçu
46. Schéma et la disposition des portes de base-onduleur porte
47. Schéma et mise en page de base portes NAND et NOR porte
48. Transmission porte
49. CMOS de conception cellulaire standard
50. Optimisation de la mise en page pour la performance
51. directives générales de mise en page
52. Logique BICMOS
53. Pseudo logique NMOS
54. D'autres variations de la logique de drainage multi et la logique de pseudo Montés
55. D'autres variations de la logique dynamique cmos de pseudo
56. D'autres variations de pseudo nmos- CMOS cadencé LOGIC (C2MOS)
57. CMOS logique de type domino
58. logique de commutation de tension en cascade
59. logique à transistors Col
60. CMOS structures de circuits logiques de la technologie
61. Mise à l'échelle de circuits MOS
62. Mise à l'échelle de la technologie
63. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)
64. Les modèles de mise à l'échelle et des facteurs d'échelle pour les paramètres de l'appareil
65. Mise à l'échelle de conséquences
66. Woes d'interconnexion
67. Rayon Joignable
68. dynamique et statique de puissance
69. Productivité et limites physiques
70. Limites de mise à l'échelle
71. Substrat dopage
72. largeur de désertion
73. Limites de la miniaturisation
74. Limites d'interconnexion et de résistance de contact
75. Limites dues aux courants subliminaires
76. Limites dues aux courants subliminaires
77. système
78. flux de conception VLSI
79. 3 approche de conception structurée
80. Régularité
81. MOSFET en tant que commutateur
82. Montage en parallèle et série de commutateurs
83. CMOS INVERTER
84. La porte NON-design
85. porte NON-Conception
86. Propriétés CMOS
87. portes complexes
88. portes complexes AOI
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